Bakalářská práce

Strukturní analýza vodivé vrstvy naprášené na křemíkovou desku

Structure analysis of a conductive layer on a silicon wafer

Jiří Havelka
Anotace

Předložená práce se zabývá strukturní analýzou vodivé vrstvy hliníku (resp. AlCuSi) naprášené na křemíkové desce o průměru 100 mm. V první části práce jsou obsaženy základní poznatky o výrobě polovodičových součástek. Zejména půjde o seznámení se s vlastnostmi křemíku, jeho oxidací, s provedením metalizace desky a také s folitografií, kterou jsme vyrobili pasivní součástky na desce. V další části se …více

Abstract

In the presented work, we examine structure properties of a conductive layer of AlCuSi on a silicon wafer of 4 inches in diameter. First part of the work introduces elementary findings about producing semiconductor wafers and devices. Especially we discuss the properties of silicon, its oxidation, the metallization, and the pholitography - the procedure of creating the structure topology of passive …více

Klíčová slova
strukturní analýza rezistivita metalizace kontaktní profilometrie drsnost RTG odrazivost tenká vrstva structure analysis resistivity metallization stylus profilometry roughness X-ray reflectivity thin layer
Zadání práce
Při přípravě polovodičových obvodů (čipů) na křemíkových deskách je finálním krokem vytvoření plošných kontaktů (metalizace). Toto probíhá naprášením vodivé vrstvy (slitina AlCuSi nebo TiW) a jejím částečným odstraněním pro získání požadovaného tvaru kontaktů pomocí fotolitografie a leptání.

Úkolem bakalářské práce bude naprášení kovové vrstvy na křemíkové desce o průměru 100 mm a její strukturní charakterizace metodami rentgenového rozptylu, mikroskopie a profilometrie. Tímto bude možné určit drsnost povrchu, tloušťku vrstvy a její krystalinitu po celé ploše desky a porovnat tyto parametry před i po procesu fotolitografie. Dále bude provedeno měření elektrického odporu desky a vrstvy.

Depozice vrstev a fotolitografie bude provedena v čistých prostorách pro křemíkovou technologii na ÚFKL. Práce umožní ověřit homogenitu naprašování instalovanou naprašovačkou a kvalifikovat tento proces pro přípravu kontaktů na skutečných polovodičových součástkách.

Administrativní informace
Práce zkontrolována:
24. 5. 2010 21:06, doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855
Plný text práce
2,2 MB / soubor PDF
Jazyk práce
čeština čeština
Termín obhajoby
29. 6. 2010
Práce byla úspěšně obhájena

Vedoucí

doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855
Fyz PřF MU

Oponent

Autor posudku dosud neidentifikován.
Citovat tuto práci
Masarykova univerzita Přírodovědecká fakulta
Studijní program
Fyzika
Obor

Práce na příbuzné téma

Seznam prací, které mají shodná klíčová slova.

Podobné práce
 
Název
Vložil
Vloženo
Práva
Archiv závěrečné práce Jiří Havelka PřF B-FY FYZ ff4x4/6
Havelka, J.
18. 5. 2010
Složky
Soubory
Anotace anglicky annotation_english.txt
Havelka, J.
19. 5. 2010
Anotace česky annotation.txt
Havelka, J.
19. 5. 2010
Klíčová slova keywords.txt
Havelka, J.
19. 5. 2010
posudek_oponent HavelkaPosudekBocanek.doc
Poláček, L.
24. 6. 2010
Text práce module_zero.pdf
Havelka, J.
19. 5. 2010

  • Přidání souboru

    Soubor nebo složku lze nahrát pomocí tlačítka Přidat.

  • Další operace se soubory

    Podrobnosti lze zjistit označením příslušného řádku.

  • Pohled pro experty

    Pro častou práci je možné zvolit režim Více možností.

  • Vyhledávání souborů

    Vyhledávaný výraz můžete zadat přímo do adresního řádku.

  • Rychlý přístup k souborům

    Pomocí funkce Nedávné je možné se rychle vrátit k právě prohlíženým souborům. Oblíbené soubory je také možné označit Hvězdičkou.